^{Flash memory 소자의 동작은 주로 channel hot carrier를 floating gate에 주입시킴으로써 cell를 program하고, 반대로 Flower-Nordheim tunneling을 이용하여 floating gate에 있는 charge를 bulk나 source(또는 drain) 쪽으로 빼냄으로써 cell을 erase한다. 현재의 이러한 과정 중 발생하는 trap에 의한 cell 특성 변화와 개선 방안을 연구 중이다. 특히 고효율, 저전력 programming이 중요한 과제로 대두되고 있는데 이 문제를 소자의 구조적 측면에서 고찰하고 있는 중이다.} 

 ^{Flash memory 의 응용분야는 크게 embedded application과 mass storage로 나누어 볼 수 있다. embedded application의 경우 portable 용이나 system integration에 활용하는 EEPROM like/ASM(Application Specific Memory)와 fast random access time을 가지는 DRAM like로 크게 구별할 수 있으며, mass storage로는 Flash memory card 및 HDD를 대체하기 위한 Flash drive또는 SSD(Solid State Disk)가 있다.} 

 ^{현재 Flash 시자의 주류는 4M 및 16Mb이 차지하고 있으며 몇몇 업체에서는 64Mb 시제품도 개발한 상태이다. 아직까지 전체 Memory 시장에서 Flash가 차지하는 비율은 그렇게 크지는 않다. 그러나 앞으로 NVM이 전체 Memory 시장의 11%를 차지할 것으로 보고 있으며, 그 중 Flash가 차지하는 비중은 60%이상 될 것이라고 예상하고 있다. 따라서, Flash memory의 전망은 밝다고 볼 수 있으며, 이 분야의 연구 인력에 대한 수요 역시 꾸준히 늘어날 것이다.} 

  정보화 사회의 요구에 걸맞게 microelectronics는 빠르게 nano- electronics로 발전 변천 되고있다. Nano-CMOS는 반도체 메모리 산업의 강국으로 부상한 우리나라의 입장에서는 그 개발의 고지를 선점하여야 할 필수적 기술이고, 그 기술의 성공적 개발을 위해서는 나노소자 및 나노회로 작동의 물리 현상이 규명되어야 하고 물리 원리의 창의적 활용이 수반되어야 한다. 이미 미국, 일본을 비롯한 선진국에서는 nano-CMOS 기술에 대한 연구가 산업체와 대학들간의 긴밀한 협동 체제하에 활발하게 진행되고 있는 반면 국내에서는 나노 기능 소자 개발 사업을 계기로 하여 지금 발족되고 있는 상황이다. 특히 nano-electronics에 관련된 기저 물리현상을 규명하기위한 simulation 및 modeling 활동은 현 시점에서 전무한 상태이며 반드시 활성화 시킴으로써 조속한 시일 내에 선진국 수준으로 발전시키어야 할 분야이다.

국내에서의 나노 기술 개발은 단일전자 소자 (SET) 와 단일 전자 기억소자 (SEM)를 위주로 하여 산학연간에 공동과제로 혹은 개별 과제로 연구되어 왔다. Nano-CMOS 기술은 최근 미국과 일본을 위주로 한 선진국에서 대략 25 nm Channel Length MOSFET을 성공적으로 제작하여 그 작동 성능이 뛰어남을 입증함을 계기로 나노 소자의 핵심 분야로 부각 되기 시작하였다.

        nano-CMOS 기술은 기존하는 MOSFET 기술의 연장이라는 맥락에서 그 활용성이 돋보이고 있으나 극히 최근에 형성된 분야인 연유로 국내에서는 지금에 이르러서야 연구에 착수되고 있는 분야이다. 그러므로 상기한 선진국의 연구 활동을 제외하면 국내에서의 연구 개발실적을 구체적으로 논할 수 있는 자료가 아직은 미비한 실정이다.

        그러나 70 nm Channel Length MOSFET을 제작한 삼성의 경우 기본적 공정 기술의 축적은 되어 있다고 판단되어 지며 수삼년내에 선진국 수준으로 공정기술을 개발할 수 있는 잠재력은 충분히 있다고 판단된다.

        본 그룹은 국내 대학 중에서는 최초로 flash EEPROM 연구에 착수하여 과거 5년에 걸쳐 국제 특허를 포함하여 다수의 논문을 국제 논문집에 게재하였다. 그 과정에서 Submicron MOSFET Technology를 심도 있게 연구하였으며 특히 Channel Hot Carrier Effect, F-N Tunneling, Gate Current Modeling, Oxide Reliability, Punch-Through Effect 등 제반 분야에서 실험과 이론을 포함하여 많은 연구 경험을 축적하였다. 이와 같은 technical background위에 full band Monte Carlo simulation technique을 접목시키면 nano-CMOS의 기반 물리 현상 규명을 위한 충분한 시발점을 형성할 수 있을 것이다.